PECVD系統(tǒng)就是為了使傳統(tǒng)的化學(xué)氣象沉積反應(yīng)溫度降低，普通CVD設(shè)備的沉積溫度大多在900℃左右，而在普通CVD裝置的前端加入RF射頻感應(yīng)裝置將反應(yīng)氣體電離，形成等離子體，利用等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，可以使化學(xué)氣相沉積的溫度降到400℃左右，所以這個(gè)系統(tǒng)稱為增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)。 PECVD綜合了國(guó)內(nèi)大多數(shù)廠家的PECVD系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)，觸摸屏集中一鍵控制，實(shí)驗(yàn)證明此結(jié)構(gòu)沉積速度快，成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂。而且控制部分采用了自主研發(fā)的實(shí)驗(yàn)電爐AIO全自動(dòng)智能控制系統(tǒng)，使得操作更加簡(jiǎn)便，功能更加強(qiáng)大。
產(chǎn)品用途：
PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。
主要特點(diǎn)：
1、智能氣路通斷：每路氣體均可定時(shí)通斷，自由切換，省時(shí)省力；
2、射頻功率的定時(shí)控制：預(yù)先設(shè)定好功率的大小和打開與關(guān)閉的時(shí)間，自動(dòng)運(yùn)行；
3、整機(jī)結(jié)構(gòu)融為一體：整機(jī)長(zhǎng)度只有1.5米，移動(dòng)方便，避免分散組裝的困擾。
4、AIO控制系統(tǒng)：加熱控制、等離子射頻控制、氣體流量控制、真空系統(tǒng)控制集中于一個(gè)7英寸觸摸屏進(jìn)行統(tǒng)一集中調(diào)節(jié)和操控，協(xié)調(diào)控制：成儀AIO控制系統(tǒng)；
5、爐膛移動(dòng)速度可調(diào)：根據(jù)實(shí)驗(yàn)要求，用戶可設(shè)定爐膛左右移動(dòng)的速度和距離，在沉積結(jié)束后爐膛可自動(dòng)移開沉積區(qū)，使樣品快速冷卻；
6、管內(nèi)真空度自動(dòng)平衡：管內(nèi)真空度實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，自動(dòng)平衡。PECVD工藝要求石英管內(nèi)真空度通常在0.1～100Pa之間，PECVD的AIO控制系統(tǒng)會(huì)通過真空泵的自動(dòng)啟停來(lái)維持用戶設(shè)定的管內(nèi)真空度，使成膜效果達(dá)Z佳的均勻性。
時(shí)間：2024-10-22
點(diǎn)擊次數(shù)：2570
當(dāng)前位置：